Das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE ist das größte Solarforschungsinstitut Europas. Mit unseren derzeit rund 1.200 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern betreiben wir anwendungsorientierte Forschung für die technische Nutzung der Solarenergie und entwickeln Materialien, Systeme und Verfahren für eine nachhaltige Energieversorgung.
Für unsere Abteilung „Vorentwicklung Höchsteffiziente Silicium-Solarzellen“ suchen wir zum nächstmöglichen Zeitpunkt eine/n Student/in zur Erstellung einer
Bachelor-/Master-/Diplomarbeit zum Thema "Oberflächenpassivierung von Silicium mittels ultra-dünner SiO2-, TiO2- und Al2O3-Schichten"
Was Sie erwartet
In unserer Arbeitsgruppe werden neuartige und innovative Passivierungsschichten zur Vermeidung von Oberflächenrekombination bei hocheffizienten Silicium-Solarzellen der nächsten Generation entwickelt, mit dem Ziel den Wirkungsgrad weiter zu steigern und die Herstellungskosten von Silicium-Solarzellen langfristig erheblich zu reduzieren. Im Rahmen der Arbeit sollen ultra-dünne Passivierungsschichten oder -schichtstapel für hocheffiziente Silicium-Solarzellen erzeugt werden, die die Oberflächenbindungen effektiv absättigen und wenig bis keine ortsfeste Ladungen aufweisen. Dabei sollen vorhandene Prozesse für die Atomlagenabscheidung angepasst und die physikalischen Mechanismen der Passivierungswirkung genau untersucht werden, um ein fundamentales Verständnis für diese Schichten zu erlangen.
In unserer Arbeitsgruppe werden neuartige und innovative Passivierungsschichten zur Vermeidung von Oberflächenrekombination bei hocheffizienten Silicium-Solarzellen der nächsten Generation entwickelt, mit dem Ziel den Wirkungsgrad weiter zu steigern und die Herstellungskosten von Silicium-Solarzellen langfristig erheblich zu reduzieren. Im Rahmen der Arbeit sollen ultra-dünne Passivierungsschichten oder -schichtstapel für hocheffiziente Silicium-Solarzellen erzeugt werden, die die Oberflächenbindungen effektiv absättigen und wenig bis keine ortsfeste Ladungen aufweisen. Dabei sollen vorhandene Prozesse für die Atomlagenabscheidung angepasst und die physikalischen Mechanismen der Passivierungswirkung genau untersucht werden, um ein fundamentales Verständnis für diese Schichten zu erlangen.
Ihre Aufgaben sind:
- Atomlagenabscheidung von ultra-dünner SiO2, TiO2 und Al2O3-Schichten oder -schichtstapel
- Charakterisierung der optischen Eigenschaften der Passivierungsschichten und -schichtstapel mittels spektraler Ellipsometrie- und spektraler Photometrie-Messungen
- Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften der Passivierungsschichten und -schichtstapel mittels Photoleitfähigkeits-, Oberflächenhotospannung-, Kapazität-Spannungs-Messungen
- Untersuchung der Korrelation der optischen und elektrischen Eigenschaften der Passivierungsschichten und -schichtstapel mit der Anzahl der Oberflächendefekte und der Anzahl an ortsfesten Ladungen
- Darstellung und Präsentation der Ergebnisse
Was Sie mitbringen
- Ingenieur- bzw. naturwissenschaftlicher Studiengang
- Kenntnisse im Bereich der Halbleiterphysik und -technologie sowie in der Halbleitercharakterisierung sind wünschenswert
- Erfahrungen im Bereich der Abscheidung von Passivierungsschichten und Schichtstapel sind vorteilhaft
- Sorgfältiges, experimentelles und apparatives Arbeiten sowie engagierte und eigenverantwortliche Arbeitweise
- Teamfähigkeit
- Analytisches Denkvermögen und ausgeprägte Kreativität
- Gute MS Office Kenntnisse (insbesondere Excel, Word und Powerpoint)
- Gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
Wir weisen darauf hin, dass die gewählte Berufsbezeichnung auch das dritte Geschlecht miteinbezieht.
Die Fraunhofer-Gesellschaft legt Wert auf eine geschlechtsunabhängige berufliche Gleichstellung.
Fragen zu dieser Position beantwortet gerne
Christian Reichel, Tel.: +49 (0)761 45 88-52 87
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung unter Angabe der Kennziffer an:
christian.reichel@ise.fraunhofer.de
(Anschreiben, CV und Zeugnisse in einem pdf-Dokument mit max. 10 MB)
| Kennziffer: ISE-2019-273 | Bewerbungsfrist: |
