Promotion im Bereich Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren

Jetzt bewerben » Ort: Freiburg Datum: 11.11.2026 Promotion im Bereich Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de ) ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 74 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer: 30 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern.

Für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen. INNOVATIONEN AUS EINER HAND VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

Wie lassen sich GaN-basierte Transistoren für Hochfrequenzanwendungen zuverlässiger machen? In Ihrer Promotion gehen Sie dieser Frage auf den Grund: Sie untersuchen Degradationsmechanismen und entwickeln Ansätze, um die Bauelemente gezielt zu verbessern. Dabei arbeiten Sie eng mit Kolleginnen und Kollegen aus Technologie, Epitaxie und Messtechnik zusammen. Hier sorgen Sie für Veränderung Sie führen Zuverlässigkeitsuntersuchungen durch, analysieren degradierte Bauelemente und tragen aktiv zur Identifizierung physikalischer n Fehler-Mechanismen bei.

Mithilfe von Simulationen optimieren Sie die Bauelemente und entwickeln sie gezielt weiter. Sie entwickeln robuste Methoden zur elektrischen Charakterisierung und zur Bewertung der Zuverlässigkeit. Die Planung, Durchführung und Prozessbegleitung von Technologieexperimenten zur Herstellung von GaN HEMTs mit verbesserter Zuverlässigkeit ist ebenfalls Teil Ihres Aufgabengebiets. Hiermit bringen Sie sich ein Ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) in Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Physik oder einer vergleichbaren Fachrichtung sowie idealerweise Kenntnisse der Festkörper- und Halbleiterphysik Freude an experimenteller Forschung, Interesse an Analyse und Simulation sowie erste Erfahrungen in Programmierung und Datenanalyse Eine selbstständige, strukturierte und wissenschaftliche Arbeitsweise, die Fähigkeit, sich schnell in neue Fragestellungen einzuarbeiten, sowie Team- und Kommunikationsfähigkeit Sehr gute Deutsch- und gute Englischkenntnisse für die Zusammenarbeit im internationalen Umfeld Was wir für Sie bereithalten Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette Unterstützung bei ihrer Promotion durch Expert*innen vor Ort Möglichkeit zur Spezialisierung und zum interdisziplinären Arbeiten durch breit gefächerte Forschungsbereiche Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, die Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.) Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität.

Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf 2 Jahre befristet.

Eine Weiterbeschäftigung im dritten Jahr der Promotion ist geplant. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren. Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess.

Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht. Sie haben Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsablauf oder zur Barrierefreiheit?

Sie brauchen Unterstützung?Unsere Recruiterin Kathrin Escher ist für Sie da: +49 761 5159-374recruiting@iaf.fraunhofer.de Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF www.iaf.fraunhofer.de Kennziffer: 86183 Bewerbungsfrist: Stellensegment: Developer, Pilates, Web Design, Creative, Technology, Hospitality Jetzt bewerben »